专利名称：非易失存储器和非易失存储器制造方法专利类型：发明专利
发明人：儿玉典昭,田康秀,金森宏治,藤枝信次,铃木润一,户田
昭夫,西坂祯一郎
申请号：CN200510052703.X申请日：20050309公开号：CN1667830A公开日：20050914
摘要：一种非易失存储器件，包括在半导体衬底中形成的源极和漏极区，以及在半导体衬底中的源极区和漏极区之间的沟道区上形成的绝缘膜。非易失存储器件还包括在沟道区上形成的储存电荷的介质膜，以及在介质膜上形成的控制栅极。在沟道区中的压缩应力等于或小于50MPa。
申请人：恩益禧电子股份有限公司,日本电气株式会社
地址：日本神奈川
国籍：JP
代理机构：中原信达知识产权代理有限责任公司
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