维普资讯 http://www.cqvip.com 现代材料动态 ２００３年第６期 使用ＧａＮ基片的３５ｍＷ蓝紫色半导体激光器 日本三洋电机公司开发出了使用ＧａＮ基片的高输出功率蓝紫色激光器，用于下一代大 容量光盘的录制重放。２００３年５月开始出样品，预计秋季批量生产。 在光盘系统领域中，正在开发可对数字化高品位映像进行２小时以上录像的下一代大 容量光盘系统。作为读取光盘上信号的光源，必须使用比现在ＤＶＤ等使用的红色半导体 激光器波长短的蓝紫色激光器。预计随着下一代大容量光盘系统的销售、普及，蓝紫色激 光器的需求将会扩大。 三洋电机在２００２年３月开发了用于下一代大容量光盘重放的ＧａＮ基片的ＩｎＧａＮ系的 输出功率为５ｒｏｗ的蓝紫色半导体激光器。目前正在提供样品。这次又开发了录制重放用 的输出功率３５ｒｏｗ的高输出功率激光器，使下一代大容量光盘系统能够满足各种用户的要 求。 （杨晓婵摘译） 高压浸渍可用于复杂铸造复合件 将Ａｌ、Ｃｕ和Ｍｇ合金渗入高模量限石墨纤维预制件可以制造航空方面的部件。一项被 称为“先进压力浸渍铸造”（ＡＰＩｃ）的工艺受到空军实验室方面的支持。 另外，以ＡＰＩＣ工艺制造的火箭推进剂燃料及氧化剂馈线法兰盘可用于取代以前使用 的、较重的高温合金法兰盘。这些法兰盘用超强质轻的碳化硼颗粒强化的铝合金铸造而成， 质量可以降低７０％。 在制造这些部件时，先用多孔陶瓷（Ｂ Ｃ、ＡＩ Ｏ：、ＳｉＣ）制成模型，而后在真空中加热 至特定温度，并在真空中通入熔融金属并填满整个模具腔。以高压釜气体将熔融合金逼入 抽成真空的预成型模的空隙，铸件迅速冷却促使定向凝固。结果生成没有空洞的、近净成 形金属基复合材料部件，并用于最后精加工。 金属基质铸造复合材料公司最近还开发了三维复制技术（３ＤＰ），利用该项技术可以根 据计算机软件直接生产复杂的陶瓷预制件。 ｆ杨英惠摘译） 日本开发低缺陷的２英寸氮化镓单晶基片 日本日立电线公司开发出了下一代光盘用的蓝紫色激光器用２英寸氮化镓（ＧａＮ）单 晶基片。２００３年春季开始制造样品并销售。计划２００４年批量生产。 该ＧａＮ基片的制造方法是通过在蓝宝石衬底基片上生长氮化钛薄膜，再在其上用ＨＶＰＥ （氢化物气相生长）法等生长ＧａＮ单晶，形成膜厚为２００－－－３００ｌａ ｍ的ＧａＮ膜，然后除去蓝 宝石衬底基片。 在上述制作方法中，新开发的称为“孔隙形成剥离法（ＶＡＳ）”的新技术在开发低缺陷 的２英寸ＧａＮ基片上获得成功。ＶＡＳ法是在蓝宝石基片和ＧａＮ生长层之间，让具有网孔 ８