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垂直腔体面发射激光器等效电路模型在SPICE下的实现

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维普资讯 http://www.cqvip.com 第27卷 第4期 2007年11月 固体电子学研究与进展 RESEARCH&PROGRESS OF SSE Vo1.27,No.4 NOV.,2007 光电子学 垂直腔体面发射激光器等效电路模型 在SPICE下的实现 张益昕 田学农 高建军 (东南大学信息科学与工程学院,南京,210096) 2006-06-06收稿,2006—12-01收改稿 摘要:介绍了一个基于速率方程的垂直腔体面发射激光器(VCSEL)的等效电路模型,该模型在电路模拟程序 Pspice下得到了实现,其仿真结果与实验数据十分吻合。用C语言编写了一 可以自动生成VCSEL宏模型的网表 自动生成器。 关键词:垂直腔体面发射激光器;速率方程;SPICE仿真;网表 中图分类号:TN248.4 文献标识码:A 文章编号:1000—3819(2007)04 562 05 Implementation of VCSEL s Equivalent Circuit Model in SPICE ZHANG Yixin TIAN Xuenong GAO Jianjun (Radio Engineering Department,Southeast University,Nanjing,210096,CHN) Abstract:A rate-equation based equivalent circuit model of VCSEI is presented in this pa— per,which has been implemented in the circuit simulation program Pspice.A good agreement has been obtained between simulated and measured data.The netlist of VCSEL model can be ob— tained automatically by using C program. Key words:vertical cavity surface emitting laser(VCSEL);rate equation;SPICE simula- tion;netlist EEACC:4320J 型的计算简便,比如文献[8]中的热效应模型,但往 1 引 言 往只局限于对VCSEI 某些特性的模拟。文献[3-1基 于速率方程和与温度相关的经验公式建立的模型, 可以较为精确地描述VCSEI 的非直流特性,然而他 作为一种新兴的半导体激光器,垂直腔体面发 射激光器(VCSEI )拥有许多优点,比如单纵模工 们并没有考虑空间效应造成的影响。文献[2]将空间 作、圆形光束、便于实现二维阵列和支持在片测试, 使得VCSEI 近年来备受关注L1]。 目前对于VCSEI 等效电路模型的研究报告很 效应引入速率方程,得到了比较完善的等效电路模 型,但要在实际的仿真中使用该模型也并非易事。 文中建立了一种涵盖了温度特性和空间效应, 多,但大部分都是基于大量数值计算和VCSEI 温度 特性的多维分析,这些模型的计算量非常巨大,使得 它们不适合计算机辅助设计中的应用。也有一些模 可以对VCSEI 各种特性进行全面仿真的等效电路 模型。同时,通过一款可以自动生成模型网表的软 件,使该模型的使用变得更为简便。 +基金项目:本文得到国家自然科学基金(NSFC60536010)与新世纪人才基金资助 ++联系作者:E—mail:gaojianjun@sea.edu.Crl 维普资讯 http://www.cqvip.com 4期 张益听等:垂直腔体面发射激光器(VCSEL)等效电路模型在SPICE下的实现 563 2 等效电路模型的建立 一个典型的VCSEI 的结构如图1所示。 0xide 1ayer Bottom contact 图1 VCSEL的横截面 Fig.1 Cross section of VCSEL 2.1 VCSEL的速率方程 为了引入温度相关性和空间相关性,选用文献 E2-]中给出的速率方程: dNo r]iIo No II dt q r g g(r,)[rkoN。一∑rkin 一r点。N。 (丁) 1+∑ S (1) dNs一 百q 一 (1+hj)+ g(r,)[CJkoⅣ。一∑ Ⅳ 一 。Ⅳ。 (,r)]S 1+∑ S (2) dSkdf 一一 r一—S 。rk+ ( 一I \  一6r) 。Ⅳ1 V 一 r。一妻6)。 Ⅳ‘1 V l,)+ — g(,r)[2koⅣ。一∑ Ⅳ 一九。Ⅳ。 (r,)]s 1+∑ S (3) 其中,Ⅳ。为有源区零阶横模的载流子数;N,为第 阶横模的载流子数; 为电流注入效率;I。为与空间 有关的注入电流;g(r,)为增益系数;S 、 、 、Tpk分 别为第k阶横模的光子数、规一化模式分布、自发辐 射耦合系数和光子寿命;It是与温度有关的漏电 流;r 为载流子寿命;r,是器件的温度; 是模式k 对模式 的增益饱和因子。 载流子泄漏由系数hi模拟: h 一( ,L ff/w)。 (4) ,是一阶贝赛尔函数的第 个解;Letf表示载流子泄 漏的有效长度;W是有源区有效半径。 b。、b 的表达式为: b。一( T/w) /w) (5) 同时电流在有源区的分布表示为: 一一而  Jj’ 。 J0( ojr) 咖 )rdr(( 6) 其中 (r)是规一化的电流分布函数,由 南j。 。 (r)rdr—Io定义。 增益和模式在空间的分布,由下列积分式得到: 2 一 Jw。 。( ) )rdr (7) 。一丽 ( )rdr (8 一 。 dr (9) 其中 是有源区实际半径。与常见的边发射激光 器速率方程 相比,式(I)、(2)、(3)的最大不同在 于引入了与温度相关的增益系数与漏电流,并考虑 了不同横模间的相互作用。 2.2 VCSEL的等效电路模型 在边发射激光器中,可以认为增益g—go(Ⅳ一 N。 ),其中增益常数g。和透明载流子数Ⅳ。 均为定 值。然而在VCSEI 中,g。和Ⅳ。 都不再是定值,而是 与温度r,有关的系数。参照文献[2,3],给出增益系 数g(r,)与透明载流子系数N。 (r,)的表达式: ~ 车簪 ㈣ N。 (r,)一N。 (c∞+CnlT+Cn2T ) (11) 其中,g。是与温度无关的增益常数;N。 是与温度无 关的透明载流子常数;agO~a 。、6 。~6 z与c ~c z是 由实测数据拟合得到的常数 ]。 而有源区的载流子泄漏导致了激光器的总效率 下降,这个效应可以通过一个被减去的漏电流It引 入式(1)。选取如下的温度与载流子数的函数来表达 漏电流 l: I(Ⅳ0,r,)一Il0exp [L (I 一a。+a Ⅳ。+a zⅣ。r,一 oV/) J/r,] (12) 系数n。~a。同样来自于数据拟合。 至此,VCSEI 的温度相关特性就已被表达。然 而,要使模型得以实现,仍有几个方面的问题需要讨 维普资讯 http://www.cqvip.com

564 固体 电子学研究 与进展 论。 换 : Pk一( k+ ) (16) (17) (18) (19) 首先,必须建立输出功率与速率方程的联系。激 光器输出的是光,因此,第 阶模的光子数 对应了 输出功率 : P 一KnS (13) N。=Z ( 0十 )。 Nj=Z 73 J Kf0=Kf0K 肼是第k阶模的输出耦合系数。 其次,VCSEI 性能有很强的温度相关性,而温 度会随着偏置电流的不同迅速变化。所以,必须设置 其中, 、 、z 和 是任意选定的常数。平方结构 确保了速率方程的数值解为正以确保有实际意义; 、 、z 和 可以有助于仿真时的收敛,其中z 和 一个变量以模拟器件温度的变化。这里认为热的消 散造成了器件温度的瞬态变化口剐,从而得到式: T=T。+(I,o ̄V一∑ )R 一 箐(~ 14) 其中丁是器件的温度;T。是室温;I 。 为注入激光器 芯片的总电流,它和输入电压 的乘积表示了进入 激光器的功率;各阶 的和表示了以光的形式输出 的功率,输入功率与它的差值,就认为全部转换成热 量;R 是VCSEI 的热阻抗(是一个反映器件温度变 化与热消散关系的系数);r 是热时间常数(与温度 变化的时延有关),通常认为其值在1 s量级。 最后,还必须给出VCSEI 输入端的 — 特性。 简单起见,直接用一个二极管串行一个电阻R 作为 激光器的输入端。二极管饱和电流I 一1×1O A, 热电压VT一50 mV。电阻值取100 Q。这样: V—VTIn( 。/i +1)+I。R (15) 同时,在输入端并联一个1×1O 法的电容,以模拟 寄生参数的影响。 Input sub・circuit Temperature sub・circuit 踊Optical sub—circuit astm Ou ̄ut sub・circuit G10 Zero order sub.circuit n, First order sub.circuit 图2 VCSEL等效电路模型 Fig.2 Equivalent circuit model of VCSEL 为了提高仿真时模型的收敛性,确保仿真得以 成功,还有必要对速率方程的个别变量作等量代 可以调整等效电路中的节点电压大小,防止溢 出。将上述变形带入速率方程组,可以得到VCSEI 的等效电路模型(图2)。 3 模型的实现与仿真 由于SPICE下尚不支持激光器器件,要使用前 文中的模型,必须由使用者手动将其转换为某种仿 真软件支持的电路图或网表,这就要求使用者必须 掌握相关的知识和技巧。同时许多仿真软件所支持 的数据范围较小,在仿真过程中,一些中间变量的计 算往往会出现溢出。比如,乘以一个大数可能会使节 点电压或电流无法表达;除以一个大数,则可能会使 变量值规零。这就会造成仿真的失败或错误。传统 的解决办法是对变量表达式变形和调整顺序,但这 个办法也不是一定能够成功。使用网表自动生成器 来生成VCSEI 的宏模型,可以很好地解决上述困 难:用户只需输入某个实际器件的参数,就可以通过 软件得到相应模型的网表,而不必掌握相关专业知 识;软件通过用户界面获取参数,可以方便地修改网 表中的参数值;高级语言所支持的浮点数数据格式, 可以杜绝计算中间变量时发生溢出。正是出于这样 的考虑,使用C语言开发了自动生成VCSEI 网表的 软件——网表自动生成器,图3显示了该软件的工 作原理。 -●●Net●●●●●lis●-t ●●creat_●●’●●or ●●●●●●●--●-●●●●●●●●●●’●●●●●●●-●●●●●●●-●●●●●●● 图3网表自动生成器工作原理图 Fig.3 Operation theory of net|ist creator 将实际器件的参数输入网表自动生成器,具体 实现了一个模型,并将该模型的仿真结果与实验数 据进行了对比。使用的参数如表1所示。 维普资讯 http://www.cqvip.com 4期 张益昕等:垂直腔体面发射激光器(VcSEL)等效电路模型在SPICE下的实现 565 表1参数列表 Tab.1 Parameters Gain constant g0 Fitting coefficient“ l Fitting coefficient bg0 Fitting coefficient 6 Fitting coefficient C, 0 Fitting coefficient Cn2 Fitting coefficient a0 Fitting coefficient a 2 Integrated coefficient roo Integrated coefficient^o0 Integrated coefficient 01 00 3e一4 0.00147 1.3608 1.8e一5 一l 6e一6 4588.24 8e一8 l l 2.34l2 Fitting coefficient a 0 Fitting coefficient ag2 Fitting coefficient l Carrier transparency number Nom Fitting coefficient C l Current leakage constant Ii0 Fitting coefficient al Fitting coefficient d 3 Integrated coefficient r0l integrated coefficient^0I Integrated coefficient 010 1 —0.4 7.65e一7 一0.00974 10e7 0.008 9.6lA 2.12 9.0le9 0.37978 O.37978 1.8l93 Leakage coefficient hI Zero order spontaneous Emission COU— pied coefficient 0 First order spontaneous emission inte— grated coefficient bl 15 0.001 Current distribution f1 Zero order spontaneous Emission inte— grated coefficient b0 Gain—compression factor£00 Zero order output coupled coefficient O l 0 5e一7 Current input efficiency l ,。 1.5e一8 Spontaneous recombination lifetime rn 2.5e一9s Zero order photon lifetime rp0 2.5e一12s Thermal impedance Rth 0.9/mW Thermal time constant rth le一6s 首先对直流特性进行仿真,结果如图4所示。其 中连续的曲线是仿真的数据,离散的点是实验数据。 加上一个交流小信号以测量VCSEL工作在调制状 态时的频率响应特性。图5中室温设为25。C,四条连 续的曲线分别是在偏置电流为2 mA、5 mA、10 mA 和20 mA时仿真得到的。离散的点为实验数据。 10 ≥ g 萎 & 呈 0 薹 \ 置 10 Input current/mA 图4直流特性图 Fig.4 Light—current characteristics 20 Frequency/GHz 图5交流小信号特性图 图4中给出了室温分别为25。c、5o。C、65。c度 时的直流特性图。从图中可以看出,VCSEI 输出功 率存在峰值,相应的,此时VCSEI 的输入电流为最 Fig.5 Small signal modulation frequency response 最后,考察VCSEI 的瞬态特性。输入一方波信 号,I。 一9 mA,Ioff一1.5 mA。得到的结果如图6所 示:其中连续的曲线为仿真结果,离散的点为实验数 据。 佳工作点。阈值电流随室温升高而升高,输出功率峰 值则正好相反。 接下来,将模型偏置在不同的直流输入下,然后 维普资讯 http://www.cqvip.com 566 _/ 暑 ∞事。 3 2 2 l 争 0 l 固0 体 电0 子学研究与进展 27卷 gnal nonlinear distortion prediction [5] Way W I.Large sifor a single-mode laser diode under microwave intensi— ty modulation[J].Journal of Lightwave Technology, 1987,LT一5(3):305—315. 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