专利名称：一种垂直围栅MOSFET器件及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：李尊朝,尤一龙,张瑞智,蒋耀林申请号：CN200910021093.5申请日：20090211公开号：CN101483192A公开日：20090715
摘要：本发明涉及微电子器件制造领域，公开了一种垂直围栅MOSFET器件及其制造方法。该垂直围栅MOSFET器件，包括：半导体衬底，垂直设置在半导体衬底上的圆柱形的沟道区，沟道区的圆柱形外设置有截面为槽形的环状的介质层，所述槽形开口向上，所述介质层的槽内设置有环状的栅导电层，所述介质层的槽外设置有环状的漏导电层，所述介质层的槽外底部与所述半导体衬底接触，所述沟道区上设置有源导电层，其圆柱形上部掺n+杂质作为源端n+区，与漏导电层底部接触的半导体衬底区域掺n+杂质作为漏端n+区，其特征在于，所述沟道区的圆柱形中部设置有非对称Halo掺杂结构p+区。
申请人：西安交通大学
地址：710049 陕西省西安市咸宁路28号
国籍：CN
代理机构：西安通大专利代理有限责任公司
代理人：惠文轩
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