专利名称：形成MOS器件的金属栅的混合方法专利类型：发明专利
发明人：徐鹏富,侯永田,李思毅,黄国泰,梁孟松申请号：CN200810214021.8申请日：20080822公开号：CN101533842A公开日：20090916
摘要：本发明涉及半导体器件，包含形成金属氧化物半导体(metal－oxide－semiconductor，简称MOS)器件的金属栅的混合方法。一半导体结构包含一具有一第一栅的第一MOS器件，及一个具有一第二栅的第二MOS器件。该第一栅包括一个设于一半导体基板上的第一高k电介质；一设于该第一高k电介质上的第二高k电介质；一设于该第二高k电介质上的第一金属层，其中该第一金属层主导该第一MOS器件的一功函数；及一设于该第一金属层上的第二金属层。该第二栅包括一设于该半导体基板上的第三高k电介质，其中该第一和第三电介质由相同的材料形成，并具有大致相同的厚度；一设于该第三电介质上的第三金属层，其中该第三金属层和第二金属层由相同的材料形成，并具有大致相同的厚度；及一设于该第三金属层上的第四金属层。
申请人：台湾积体电路制造股份有限公司
地址：中国台湾新竹市
国籍：CN
代理机构：北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人：颜志祥
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