（12）发明专利申请
（21）申请号 CN201310134217.7 （22）申请日 2013.04.17 （71）申请人 国际商业机器公司
地址 美国纽约
（10）申请公布号 CN103456640A
（43）申请公布日 2013.12.18
（72）发明人 H·杰加纳森;P·C·杰米森 （74）专利代理机构 北京市中咨律师事务所
代理人 于静
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
包括场效应晶体管(FET)的半导体结构及其方法
（57）摘要
本发明涉及包括场效应晶体管的半导体结
构及其方法。分层的栅极电介质叠层包括：包含第一高介电常数（高k）电介质材料的第一高k栅极电介质、包含具有与第一高k电介质材料不同的带隙的电介质材料的带隙干扰电介质以及包含第二高k电介质材料的第二高k栅极电介质。带隙干扰电介质包括电介质材料的至少一个连续原子层。因此分层的栅极电介质叠层包括第一高k栅极电介质和带隙干扰电介质之间的第一原子
界面，以及通过带隙干扰电介质的电介质材料的至少一个连续原子层与第一原子界面分隔的第二高k栅极电介质和带隙干扰电介质之间的第二原子界面。带隙干扰电介质的插入导致更低的栅极泄露，而不会导致阈值电压特性和有效氧化物厚度的任何显著变化。
法律状态
法律状态公告日2013-12-18 2014-01-15 2017-03-01
法律状态信息
公开
实质审查的生效 授权
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权利要求说明书
包括场效应晶体管(FET)的半导体结构及其方法的权利要求说明书内容是....请下载后查看
说明书
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