专利名称：一种新型栅极结构的功率MOS器件制造方法专利类型：发明专利发明人：蒋正洋
申请号：CN201711185876.8申请日：20171123公开号：CN107978641A公开日：20180501
摘要：本发明提供一种新型栅极结构的MOS器件制造方法，应用于半导体制造领域，在淀积第一氧化层后再淀积一SiN层和一第二氧化层，增加了栅极介质的厚度，通过优化栅极结构阻断栅极杂质向沟道区扩散，达到稳定开启电压、关断电压和减少栅源漏电的情况的目的，从而提高了器件的稳定性及可靠性。
申请人：中航(重庆)微电子有限公司
地址：401331 重庆市沙坪坝区西永大道25号
国籍：CN
代理机构：上海申新律师事务所
代理人：俞涤炯
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容