专利名称：电容阵列结构及其形成方法、半导体存储器专利类型：发明专利发明人：鲍锡飞
申请号：CN201910759066.1申请日：20190816公开号：CN112397509A公开日：20210223
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种电容阵列结构及其形成方法、半导体存储器。所述电容阵列结构的形成方法包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底上具有堆叠层、贯穿所述堆叠层的电容孔、以及至少覆盖所述堆叠层表面和所述电容孔内壁的下电极层；去除所述堆叠层顶面的所述下电极层，暴露所述堆叠层和所述电容孔；形成覆盖所述堆叠层表面并封闭所述电容孔的掩膜层，所述掩膜层中具有与所述堆叠层对应的开口；沿所述开口去除所述堆叠层，暴露所述衬底。本发明增大了电容器的电容，改善了因光刻对准精度的差异导致的各电容器电容量不一致的问题，从而有效提高了半导体存储器的存储性能。
申请人：长鑫存储技术有限公司
地址：230001 安徽省合肥市蜀山区经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
国籍：CN
代理机构：上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
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