专利名称：一种用于改进硅片表面制样的化学试剂的制取装置专利类型：实用新型专利
发明人：盛方毓,闫志瑞,冯泉林,赵而敬,李宗峰申请号：CN201220706322.4申请日：20121219公开号：CN203128192U公开日：20130814
摘要：本实用新型提供一种用于改进硅片表面制样的化学试剂的制取装置，包括臭氧发生器和氢氟酸容器，该臭氧发生器的进气口端通过第一阀门与氧气瓶连接，其出气口端通过流量控制器及第二阀门与氢氟酸容器连接，所述氢氟酸容器具有由第三阀门控制的排气管路。本实用新型结构简单，制取的含有臭氧与氢氟酸混合化学试剂中臭氧的浓度趋于饱和，可达到25～30ppm。由于臭氧在溶液中分解后产生的氧离子及自由基能迅速氧化硅表面，并且氢氟酸在臭氧的作用下可以对表面氧化膜进行有效的腐蚀，因此通过该装置制取的化学试剂尤其适用于表面只有自然氧化膜的硅片的表面制样。
申请人：有研半导体材料股份有限公司
地址：100088 北京市西城区新街口外大街2号
国籍：CN
代理机构：北京北新智诚知识产权代理有限公司
代理人：郭佩兰
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