专利名称：一种制备碳化硅超结二极管的方法专利类型：发明专利
发明人：郑柳,杨霏,张文婷,吴昊,桑玲,李嘉琳,李玲,李永平,刘
瑞,王嘉铭,田亮,查祎英,钮应喜
申请号：CN201711041101.3申请日：20171030公开号：CN109727860A公开日：20190507
摘要：本发明提供了一种制备碳化硅超结二极管的方法，所述方法包括如下步骤：1)清洗碳化硅材料2)在外延薄膜12上表面制备刻蚀碳化硅的掩膜层13；3)在掩膜层13上进行图形化制备出图形化的掩膜14，后进行碳化硅沟槽刻蚀；4)进行二次外延生长，生长碳化硅薄膜16；5)碳化硅刻蚀或化学机械抛光，后进行其他工艺加工，得到碳化硅超结二极管26。本发明制备方法通过二次外延技术在碳化硅二极管的漂移区形成超结结构，利用电荷平衡原理，使得器件耐压能力只与漂移区厚度有关，与漂移区掺杂浓度无关，大幅提高了漂移区掺杂浓度，引入空穴、电子两种载流子参与导电，大幅减小了碳化硅二极管的通态电阻，降低了器件通态损耗。
申请人：全球能源互联网研究院,国家电网公司
地址：102211 北京市昌平区未来科技城滨河大道18号
国籍：CN
代理机构：北京安博达知识产权代理有限公司
代理人：徐国文
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