专利名称：碳化硅场效应晶体管专利类型：发明专利发明人：A·康斯坦丁欧夫申请号：CN202010831043.X申请日：20200818公开号：CN112447857A公开日：20210305
摘要：本公开涉及碳化硅场效应晶体管。在一般方面，一种碳化硅场效应晶体管可包括：第一导电类型的基板；设置在基板上的第一导电类型的漂移区；设置在漂移区中的第一导电类型的扩散层；设置在扩散层中的第二导电类型的主体区；以及设置在主体区中的第一导电类型的源极区。该碳化硅场效应晶体管还可包括：设置在源极区、主体区和扩散层上的第一导电类型的隔层；和设置在隔层中的第一导电类型的侧向沟道区。该碳化硅场效应晶体管还可包括栅极结构，该栅极结构包括：设置在侧向沟道区上的氮化铝层；和设置在氮化铝层上的第二导电类型的氮化铝镓层。
申请人：半导体元件工业有限责任公司
地址：美国亚利桑那
国籍：US
代理机构：中国贸促会专利商标事务所有限公司
代理人：张丹
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容