专利名称：GaN基LED的外延结构及其生长方法专利类型：发明专利
发明人：程立文,曹常锐,曾祥华,马剑,徐作政申请号：CN201810102960.7申请日：20180201公开号：CN108365060A公开日：20180803
摘要：本发明公开了一种GaN LED的外延结构及其生长方法，依次包括处理衬底，生长低温成核层，生长非掺杂低温u‑GaN层，生长掺Si的n‑GaN层，生长发光层，生长GaN‑AlGaN‑GaN势垒层，生长P型GaN层，降温冷却步骤。本发明采用GaN‑AlGaN‑GaN组合结构，能够有效的提供电子势垒以限制电子向P型区的泄露，降低了电子和空穴在P型区的非辐射复合，并有效的提高了空穴从P电极向有源区的注入，提高器件的光电性能；去除传统的AlGaN电子阻挡层，避开了在生长较厚高掺Mg的p型AlGaN层时，会使得材料界面产生严重晶格缺陷和大的应力的问题，也避免了长时间高温生长对MQW层的影响，提高了芯片质量。
申请人：扬州大学
地址：225009 江苏省扬州市大学南路88号
国籍：CN
代理机构：南京理工大学专利中心
代理人：邹伟红
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