专利名称：集成电路装置及其形成方法专利类型：发明专利
发明人：刘筱函,李禾培,江忠祐,陈柏年,林志勇申请号：CN201910880405.1申请日：20190918公开号：CN110911493A公开日：20200324
摘要：本发明实施例提供包括具有电容的集成电路装置及其形成方法。在一些范例中，集成电路装置包括基板与设置于基板上的沟槽隔离材料。隔离结构设置于沟槽隔离材料上。第一电极设置于隔离结构上，且第二电极设置于隔离结构上。电容介电质设置于介于第一电极与电二电极间的隔离结构上。在这些范例中，隔离结构包括设置于沟槽隔离材料上的第一硬遮罩、设置于第一硬遮罩上的介电质以及设置于介电质上的第二硬遮罩。
申请人：台湾积体电路制造股份有限公司
地址：中国台湾新竹市
国籍：CN
代理机构：隆天知识产权代理有限公司
代理人：黄艳
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