专利名称：集成电路装置及用以使用于该集成电路装置中的方
法
专利类型：发明专利
发明人：施彦豪,陈士弘,叶腾豪,胡志玮,蔡丰年,林烙跃申请号：CN201310103561.X申请日：20130328公开号：CN103579093A公开日：20140212
摘要：本发明公开了一种集成电路装置及用以形成层间连接件于三维叠层集成电路装置中的方法。该集成电路装置，包括一由多个介电/导电层形成的叠层，以形成多个层间连接件；层间连接件自装置的一表面延伸至导电层；多个接触开口建立而贯穿一介电层至一第一导电层；N个刻蚀掩模具有分隔的多个开放刻蚀区及位于他处的多个掩模区，2N-1小于W且2N大于或等于W；层所形成的叠层是以仅贯穿W-1个接触开口而建立多个延伸接触开口，延伸接触开口延伸至W-1个导电层；利用各刻蚀掩模来透过至少半数的接触开口而刻蚀2n-1个导电层，n＝1、2...N；接触开口是以刻蚀掩模的不同组合的开放刻蚀区来进行刻蚀；层间连接件形成于接触开口内。
申请人：旺宏电子股份有限公司
地址：中国台湾新竹科学工业园区力行路16号
国籍：CN
代理机构：中科专利商标代理有限责任公司
代理人：任岩
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