MOCVD设备内石墨基座的清洗方法

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN200910114915.4 （22）申请日 2009.02.09

（71）申请人 晶能光电(江西)有限公司

地址 330029 江西省南昌市高新开发区艾溪湖北路699号

（10）申请公布号 CN101502835A

（43）申请公布日 2009.08.12

（72）发明人 刘军林;江风益;郑锐华 （74）专利代理机构

代理人

（51）Int.CI

B08B3/08; B08B1/00; C23C16/18;

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

MOCVD设备内石墨基座的清洗方法

（57）摘要

本发明公开了一种MOCVD设备内石墨基座

的清洗方法，该方法用来清洗MOCVD设备的石墨基座，通过该方法可以彻底的将石墨基座清洗干净，特别是石墨基座表面的小坑内的附着物，而不破坏石墨基座的结构，从而起到延长石墨基座的使用寿命和提高MOCVD设备产能的作用。该方

法包括以下步骤：煮酸：将石墨基座放入磷酸中煮，至石墨基座表面上的附着物被去除干净后取出，其中，所述煮酸步骤还包括刷去石墨基座表面的附着物；冲水：用热去离子水清洗煮好的石墨基座，去除石墨基座上的酸性物质；干燥：干燥石墨基座，至石墨基座上无水份，其中，所述干燥步骤包括用烘烤方式干燥石墨基座。本发明采用的是一种湿法处理的方式。

法律状态

法律状态公告日

2009-08-12 2009-08-12 2010-04-14 2010-04-14 2011-01-05 2011-01-05 2013-02-06 2013-02-06 2020-02-11

法律状态信息

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权 授权

专利实施许可合同备案的生效、变更及注销

专利实施许可合同备案的生效、变更及注销 专利权的终止

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专利实施许可合同备案的生效、变更及注销

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权利要求说明书

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说明书

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