专利名称：一种高导热集成电路用金刚石基片的制备方法专利类型：发明专利
发明人：李成明,刘金龙,张营营,陈良贤,黑立富,吕反修申请号：CN201010578837.6申请日：20101203公开号：CN102157353A公开日：20110817
摘要：本发明属于半导体基础电路用基体材料制备技术领域；特别是提供了一种制备高导热电子器件用掺杂金刚石膜复合基片的方法。在金属衬底或石墨过渡层衬底首先进行高密度金刚石形核生长，然后进行沉积掺杂元素的金刚石膜，随后进行金刚石膜生长直至达到所需厚度；脱膜后对金刚石梯度复合基片进行真空热处理，均质化和去除应力；对掺杂的金刚石复合梯度片进行双面研磨和抛光，并达到半导体集成电路用基片的表面光洁度和厚度要求。本发明的优点是：B掺杂的金刚石膜具有高的电子和空穴迁移率；无B掺杂的金刚石膜作为掺杂金刚石膜的衬底支撑，相对较厚的无B掺杂金刚石膜具有高于铜5倍的导热率，能及时将热量传递给散热器。
申请人：北京科技大学
地址：100083 北京市海淀区学院路30号
国籍：CN
代理机构：北京东方汇众知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：刘淑芬
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