专利名称：传感器半导体器件和生产传感器半导体器件的方法专利类型：发明专利
发明人：内博伊沙·内纳多维奇,阿加塔·沙基奇,米查·因特·赞
特,弗雷德里克·威廉·毛里茨·万赫尔蒙特,希尔科·瑟伊,罗埃尔·达门
申请号：CN201680066475.8申请日：20161014公开号：CN108292634A公开日：20180717
摘要：传感器半导体器件包括具有主表面(2)的基板(1)、在主表面上或上方的传感器区域(3)、在主表面上方的涂覆层(4)以及被形成在传感器区域周围的涂覆层中的沟槽(5)。沟槽提供来自涂覆层的液体的排放。
申请人：AMS有限公司
地址：奥地利温特普雷姆施泰滕
国籍：AT
代理机构：北京品源专利代理有限公司
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