一、填空（共32分，每空2分）
1、PN结电容可分为 和 两种，它们之间的主要区别 。
2、当MOSFET器件尺寸缩小时会对其阈值电压VT产生影响，具体地，对于短沟道器件对VT的影响为 ，对于窄沟道器件对VT的影响为 。
3、在NPN型BJT中其集电极电流IC受 电压控制，其基极电流IB受 电压控制。 4、硅-绝缘体SOI器件可用标准的MOS工艺制备，该类器件显著的优点是 。 5、PN结击穿的机制主要有 等几种，其中发生雪崩击穿的条件为 。 6、当MOSFET进入饱和区之后，漏电流发生不饱和现象，其中主要的原因有 ， 和 。
二、简述（共18分，每小题6分） 1、Early电压VA。 2、截止频率f T。 3、耗尽层宽度W。
三、分析（共20分，每小题10分）
1、对于PNP型BJT工作在正向有源区时载流子的输运情况；
2、热平衡时突变PN结的能带图、电场分布，以及反向偏置后的能带图和相应的I-V特性曲线。（每个图2分）
四、计算推导（共30分，每小题15分）
1、MOSFET工作在非饱和区时的Sah方程推导，并求解跨导gm和沟道电导gD，说明提高gm的具体措施；（每步2分，电导计算4分，措施3分）
2、在NPN双极型晶体管正向有源区工作时，，
，试求该器件正向电流增益，并说明提高的几种途径。其
中，6分 ）
，。（计算推导9分，措施
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