微机线路保护原理
1.微机保护硬件可分为:人机接口、保护
相应的软件也就分为:接口软件、保护软件
2.保护软件三种工作状态:运行、调试、不对应状态
3.实时性:在限定的时间内对外来事件能够及时作出迅速反应的性
4.微机保护算法主要考虑:计算机精度和速度
中低压线路保护程序逻辑原理
4.选项子程序原理:判别故障相(选项),判定了故障的种类及相别,才能确定阻抗计算应取用什么 相别的电流和电压
5.电力系统的振荡大致分为:
一种 静稳破坏引起系统振荡,另一种 由于系统内故障切除时间过长,导致系统的两侧电源之间的 不同步引起的
超高压线路保护程序逻辑原理
6.高频闭锁方向保护的启动元件两个任务:
一是 启动后解除保护的闭锁
二是 启动发信回路,因此要求启动元件灵敏度高,以防止故障时不能启动发信
7.(1)闭锁式高频方向保护基本原理:
闭锁式高频方向保护原则上规定每端短路功率方向为正时,不送高频信号。
因此在故障时收不到高频信号表示两侧都为正方向,允许出口跳闸;在一段
相对较长时间内收到高频信号时表示两侧中有一侧为负方向,就闭锁保护。
(2)允许式高频方向保护基本原理:
当两侧均发允许信号时,可判断是区内故障,但就每一侧而言,其程序逻辑是收到对侧允许信号及 本侧视正方向,同时满足经延时确认后发跳闸脉冲。
8.综合重合闸四种工作方式:单相、三相、综合、停用
综合重合闸两种启动方式:①由保护启动 ②由断路器位置不对应启动
电力变压器微机线路保护
9.比率制动式差动保护的基本概念:比率制动式差动保护的动作电流是随外部短路电流按比率增大, 既能保证外部短路不误动,又能保证内部短路有效高的灵敏度
10.二次谐波制动原理:
在变压器励磁涌流中含有大量的二次谐波分量,一般占基波分量的40%以上。利用差电流中二次谐 波所占的比率作为制动系数,可以鉴别变压器空载合闸时的励磁涌流,从而防止变压器空载合闸时 保护的误动。
11.变压器零序保护
主变零序保护适用于110KV及以上电压等级的变压器。主变零序保护由主变零序电流、主变零序电 压、主变间隙零序电流元件构成,根据不同的主变接地方式分别设置如下三种保护形式:
①中性点直接按接地保护方式
②中性点不接地保护方式
③中性点经间隙接地保护方式
12.在放电间隙放电时。应避免放电时间过长。为此对于这种接地式应装设专门的反应间隙放电电流的 零序电流保护,其任务是即时切除变压器,防止间隙长时间放电
微机母线保护及断路器失灵保护
13.1)母线是发电厂和变电站重要组成部分之一。母线又称汇流是汇集电能及分配电能的重要设备
2)在发电厂或变电站,当母线电压为 35至66kv出线较少时,可采用单母线接线方式;而出线较 多时,可采用单母线分段;对110kv母线,当出线数不大于4回线时,可采用单母线分段
3)母线故障类型主要有 :单相接地故障,两相接地短路故障(几率小)及三相短路故障
4)要求:①高度安全性可靠性 ②选择性强、动作速度快
14.母差保护分类
按阻抗分类:高、中、低母差保护
低阻抗母差保护(电流型母线差动保护) 按动作条件分:
①电流差动式母差保护 ②母联电流比相式母差保护③电流相位比较式母差保护
15.大差元件用于检查母线故障,小差元件选择出故障所在的哪段或哪条母线
16.不同型号母差保护,采用的启动元件有差异,通常有:电压工频变化量元件、电流工频变化量元 件、差流越限元件
17.TA饱和时其二次电流有如下特点:
(1)在故障瞬间,由于铁芯中的磁通不能越变,TA不能立即进入饱和区,而是存在一个时域为3至5ms 的线性传递区。在线性传递区内,TA二次电流与一次电流成正比
(2)TA饱和之后,在每个周期内一次电流流过零点附近存在不饱和时段,在此段内,TA二次电流又与 一次电流成正比
(3)TA饱和后其励磁阻抗大大减小,使其内阻大大降低,严时内阻为零(4)TA饱和,其二次电流偏 于时间轴一侧,致使电流的正、负半波不对 称,电流中有很大的二次和三次谐波电流分量
18.TA饱和鉴别元件的构成原理:
(1)同步识别法:当母线上发生故障时,母线电压及各出线元件上的电流将发生很大的变化,于此同 时在差动元件中出现差流,即电压或工频电流的变化量与差动元件中的差流是同时出现
(2)自适应阻抗加权抗饱和法
(3)基于采样值的重复多次判别法
(4)谐波制动原理
74ls373引脚图,内部结构,参数,应用电路(74ls373中文资料) 74ls373功能简介: 74ls373是常用的地址锁存器芯片,它实质是一个是带三态缓冲输出的8D触发器,在单片机系统中为了扩展外部存储器,通常需要一块74ls373芯片.本文将介绍74ls373的工作原理,引脚图(管脚图),内结构图、主要参数及在单片机系统中的典型应用电路.
74ls373工作原理简述: 74ls373内部逻辑结构图
L——低电平; H——高电平; X——不定态; Q0——建立稳态前Q的电平; G——输入端,与8031ALE连高电平:畅通无阻低电平:关门锁存。图中OE——使能端,接地。 当G=“1”时,74LS373输出端1Q—8Q与输入端1D—8D相同; 当G为下降沿时,将输入数据锁存
80C196KC补充内容 80C196KC与8096的区别
CPU方面 内部时钟变为二分频,时钟频率提高 16MHz/2=8MHz,100%)
不少指令所需状态周期减少
增加了休眠和掉电工作模式
增加了6个中断源和8个中断
增加了11条指令
中断响应速度提高了几倍
外设方面
增加了256个片内RAM;
增加了窗口切换功能(水平,垂直窗口功能);
12MHz/3=4MHz,改为 (
增加外围事件服务器(PTS);
定时器T2变为可逆计数;
增加了HSO锁存事件的能力;
增加了HSO中CAM的全清命令;
串行口发送改为双缓冲器 PWM时钟可切换为2分频
80C196KC中断的变化
80C196KC新增中断源及优先级(8个)
中断源 中断矢量地址 优先级
TI(串口发送中断) 2030H 8
RI (串口接收中断) 2032H 9
HSI FIFO 4th 2034H 10
T2 CAP(TIME2捕捉中断) 2036H 11
T2 OV (TIME2溢出中断) 2038H 12
EXTINT1 203AH 13
HSI FIFO FULL 203CH 14
NMI 203EH 15
非法指令中断:2012H,CPU取到一条不可执行语句 产生中断
发送中断 :2030H
接受中断 :2032H
HSI FIFO 4 :2034H,当第四个事件进入HSI的FIFO 时产生中断
TIMER2 捕捉:2036H,P2.7有正跳变产生中断
TIMER2 溢出:2038H,T2溢出中断
EXTINT引脚:203AH,P2.2引入的外部中断
HSI FIFO满:203CH, HSI的FIFO装满事件产生中断
NMI(置0) :203EH,NMI非屏蔽中断
80C196KC新增指令
1.PUSHA—PSW、IMASK、IMASK1及WSR进栈
2.POPA—栈中弹出PSW、IMASK、IMASK1及WSR。
3.IDLPD—设置进入待机(IDLE)或掉电停机工作方式
4.CMPL—2个长整型数比较
5.XCH/XCHB指令
6.BMOV——块移动
7. BMOVI——块移动
8.EPTS指令
9.DPTS指令
10.TIJMP指令(表格转移指令)
11.DJNZW指令
80C196KC寄存器的变化
增加了256个寄存器(100H-1FFH)
1.PSW的状态位 80C196KC的PSW与8098相比,增加了PSE位,即PSW.10为PTS的功能允许位。(外围事务服务器)
2.芯片配置寄存器CCR 80C196KC的最低位D0为POWERDOWN(停机)方式的允许位
3.80C196KC中增加的寄存器 80C196KC的芯片的SFR中增加了十二个寄存器。这里介绍以下六个:WSR(14H)、IOS2(17H)、IOC2(0BH)、IOC3(0CH)、INT_PENDING1(12H)、INT_MASK1(13H)。
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