专利名称：用于形成钝化发射极的银背面电极和背面接触硅太
阳能电池的方法
专利类型：发明专利
发明人：K·W·杭,G·劳迪辛奥,A·G·普林斯,R·S·沃特申请号：CN201280009271.2申请日：20120305公开号：CN103503080A公开日：20140108
摘要：本发明涉及用于形成PERC硅太阳能电池的导电银背面电极的方法，包括以下步骤：(1)提供在其正面上具有n型发射极的p型硅片，所述n型发射极在其上具有ARC层和在其背面上的穿孔的介电钝化层，所述介电钝化层具有在穿孔的位置处的局部BSF触点，(2)施加并干燥银浆以在所述硅片的背面上形成连接局部BSF触点的银背面电极图案，以及(3)焙烧所述干燥的银浆，从而使所述晶片达到700-900℃的峰值温度，其中所述银浆不具有烧透能力或仅具有差的烧透能力，并且包含粒状银和有机载体。
申请人：E.I.内穆尔杜邦公司
地址：美国特拉华州
国籍：US
代理机构：上海专利商标事务所有限公司
代理人：朱黎明
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