新型cmos温度传感器的设计

Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ　Ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ　ａｎｄ　Ｓｅｎｓｏｒ

仪表技术与传感器

２０１９　Ｎｏ．１１　

新型ＣＭＯＳ温度传感器的设计

（１．天津工业大学电子与信息工程学院，天津　３００３８７；２．天津市光电检测技术与系统重点实验室，天津３００３８７；

３．天津鹏翔华夏科技有限公司，天津　３００４５７）

陈力颖１，２，谭　康１，２，王　焱１，２，吕英杰３

　　摘要：文中设计的温度传感器芯片采用ＵＭＣ０．１８μｍ１Ｐ６Ｍ工艺，基于ＰＴＡＴ电流源的两个双极性晶体管的基极与发射结之间电压的温度特性，利用输出端处理电路进一步提高精度。针对增益不足采用偏置电路，针对相位失调采用米勒补偿结构，针对人体温度范围所需精度要求采用输出端缓冲再放大结构。芯片工作电压为１．８Ｖ，电源抑制比为－８２ｄＢ，直流功耗７２μＷ，可测范围－４０～１２５℃，体温范围以内精度更高，输出电压步长２．６５ｍＶ／℃，输出精度为０．０１℃。流片之后进行了系统测试，测试结果表明，输出电压与温度具有非常高的线性度，并且在体温范围内具有极高的精度。关键词：温度传感器；ＵＭＣ０．１８μｍ１Ｐ６Ｍ工艺；偏置电压；米勒补偿；线性度；精度

中图分类号：ＴＮ４３　　　文献标识码：Ａ　　　文章编号：１００２－１８４１（２０１９）１１－００１７－０５

ＮｅｗＤｅｓｉｇｎｏｆＣＭＯＳＴｅｍｐｅｒａｔｕｒｅＳｅｎｓｏｒ

（１．ＳｃｈｏｏｌｏｆＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃａｎｄＩｎｆｏｒｍａｔｉｏｎＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，ＴｉａｎｊｉｎＰｏｌｙ⁃ｔｅｃｈｎｉｃＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｔｉａｎｊｉｎ３００３８７，Ｃｈｉｎａ；２．ＴｉａｎｊｉｎＫｅｙＬａｂｏｒａｔｏｒｙｏｆＯｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃＤｅｔｅｃｔｉｏｎＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙａｎｄＳｙｓｔｅｍｓ，Ｔｉａｎｊｉｎ３００３８７，Ｃｈｉｎａ；

３．ＴｉａｎｊｉｎＰｅｎｇｘｉａｎｇＨｕａｘｉａＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙＣｏｍｐａｎｙ，Ｔｉａｎｊｉｎ３００４５７，Ｃｈｉｎａ）

ｏｎｔｈｅｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｏｆｔｈｅｖｏｌｔａｇｅｂｅｔｗｅｅｎｔｈｅｂａｓｅａｎｄｔｈｅｅｍｉｔｔｅｒｊｕｎｃｔｉｏｎｏｆｔｗｏｂｉｐｏｌａｒｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓｂｅｌｏｎｇｉｎｇｔｏｔｈｅＰＴＡＴｃｕｒｒｅｎｔｓｏｕｒｃｅ，ａｎｄｆｕｒｔｈｅｒｉｍｐｒｏｖｅｄｔｈｅａｃｃｕｒａｃｙｂｙｕｓｉｎｇｔｈｅｏｕｔｐｕｔｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇｃｉｒｃｕｉｔ．Ｉｎｔｈｉｓｐａｐｅｒ，ｔｈｅｂｉａｓｃｉｒｃｕｉｔｗａｓｕｓｅｄｆｏｒｔｈｅｌａｃｋｏｆｇａｉｎ，ａｎｄｔｈｅＭｉｌｌｅｒｃｏｍｐｅｎｓａｔｉｏｎｓｔｒｕｃｔｕｒｅｗａｓａｄｏｐｔｅｄｆｏｒｔｈｅｐｈａｓｅｏｆｆｓｅｔ．Ｔｈｅｏｕｔｐｕｔｂｕｆｆｅｒｗａｓｕｓｅｄｔｏ１．８Ｖ，ｓｕｐｐｌｙｒｅｊｅｃｔｉｏｎｒａｔｉｏｆｏｒｔｈｅｐｏｗｅｒｗａｓ－８２ｄＢ，ｐｏｗｅｒｃｏｎｓｕｍｐｔｉｏｎｆｏｒｔｈｅＤＣｗａｓ７２μＷ，ｔｈｅｍｅａｓｕｒａｂｌｅｒａｎｇｅｗａｓｃｕｒａｃｙｉｓ０．０１℃．Ａｓｙｓｔｅｍｔｅｓｔｗａｓｃａｒｒｉｅｄｏｕｔａｆｔｅｒｆａｂｒｉｃａｔｉｎｇ，ｓｈｏｗｉｎｇｈｉｇｈｌｉｎｅａｒｉｔｙｂｅｔｗｅｅｎｏｕｔｐｕｔｖｏｌｔａｇｅａｎｄｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ，ａｎｄｅｘｔｒｅｍｅｌｙａｃｃｕｒａｔｅｉｎｔｈｅｂｏｄｙｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｒａｎｇｅ．

Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｓｅｎｓｏｒ；ｐｒｏｃｅｓｓｏｆＵＭＣ０．１８μｍ１Ｐ６Ｍ；ｂｉａｓｖｏｌｔａｇｅ；Ｍｉｌｌｅｒｃｏｍｐｅｎｓａｔｉｏｎ；ｌｉｎｅａｒｉｔｙ；ｐｒｅｃｉｓｉｏｎ

－４０℃ｔｏ１２５℃，ａｃｃｕｒａｃｙｗａｓｈｉｇｈｅｒｗｉｔｈｉｎｔｈｅｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｒａｎｇｅ，ｔｈｅｏｕｔｐｕｔｖｏｌｔａｇｅｓｔｅｐｗａｓ２．６５ｍＶ／℃，ａｎｄｔｈｅｏｕｔｐｕｔａｃ⁃ｒｅ⁃ａｍｐｌｉｆｙｔｈｅｓｔｒｕｃｔｕｒｅｆｏｒｔｈｅａｃｃｕｒａｃｙｒｅｑｕｉｒｅｍｅｎｔｏｆｔｈｅｈｕｍａｎｂｏｄｙｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｒａｎｇｅ．Ｔｈｅｏｐｅｒａｔｉｎｇｖｏｌｔａｇｅｆｏｒｔｈｅｓｈｉｐｗａｓ

Ａｂｓｔｒａｃｔ：ＴｈｅｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｓｅｎｓｏｒｃｈｉｐｐｒｏｐｏｓｅｄｉｎｔｈｉｓｗｏｒｋａｄｏｐｔｅｄｔｈｅｐｒｏｃｅｓｓｏｆＵＭＣ０．１８μｍ１Ｐ６Ｍ，ｗｈｉｃｈｗａｓｂａｓｅｄ

ＣＨＥＮＬｉ⁃ｙｉｎｇ１，２，ＴＡＮＫａｎｇ１，２，ＷＡＮＧＹａｎ１，２，ＬＹＵＹｉｎｇ⁃ｊｉｅ３

０　引言

与传统的液体温度计、电阻式温度传感器，以及热电偶式温度传感器相比，ＣＭＯＳ温度传感器具有体积小、功耗低、成本低、精度高、易集成、兼容性强等特点［１］。本文所设计一款基于ＵＭＣ０．１８μｍ１Ｐ６Ｍ工艺的高精度新型ＣＭＯＳ温度传感器。此温度传感器可以单独使用，也可以与其他系统实现直接通信，显著降低了集成难度以及系统的设计难度。所以这种新型ＣＭＯＳ温度传感器与传统的温度传感器相比具有明显的优势。而且信号的处理和数字化都可以在系统内部实现，显著提高了抗干扰能力。

基金项目：天津市应用基础与前沿技术研究计划项目（１５ＪＣＹＢＪＣ１６３００）

收稿日期：２０１８－０９－０４

１　电路结构及原理

１．１　ＰＴＡＴ电压转换电路

本文设计的温度传感器是根据传统ＰＴＡＴ电流的产生原理，并在后期输出电路中进一步增加精度处理。该电路结构具有线性度好、电源抑制比较高等优点；而且由于其是基于双极型晶体管基极与发射结之间电压的温度特性而设计，因此输出形式可控。基于以上因素，本文提出了输出电压随温度变化的ＰＴＡＴ电流源结构，如图１所示。

双极性晶体管具有良好的温度特性，可以作为温度传感器的元件。电路正常工作时，需要ＰＴＡＴ电流源保持平衡，这就要求运放正负输入端的电压相等，Ｐ１、Ｐ２两管的漏电流相等。为了避免工艺引起的误差，所以引入Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３３个电阻来调节支路电流。

　　１８ＩｎｓｔｒｕｍｅｎｔＴｅｃｈｎｉｑｕｅａｎｄＳｅｎｓｏｒ

Ｎｏｖ．２０１９　

动放大器工作在负反馈模式下，且电路稳定工作时：

Ｉ２Ｒ１＋ＶＢＥ２＝ＶＢＥ１（３）式中ＩＳ１、ＩＳ２分别为Ｑ１与Ｑ２的反向饱和电流。

ＶＴ＝ＫＴ／ｑ，所以能得到：式中Ａ１、Ａ２分别为Ｑ１与Ｑ２的发射结面积。

Ｖｏｕｔ＝（

β３β２

）（Ｒ２Ｒ１

）（

β１Ａ２ｋＴ

）ｌｎ［（）（）］ｑβ２Ａ１

（４）

Ａ２的比值均为常数［４－５］。因此，可以得到一个和温度Ｔ成正比的输出电压ＶＴｅｍｐ，用来表示当前温度。

另外，如果ＶＣＣ变大，会使流过Ｑ１与Ｑ２的支路电

当Ｐ１与Ｐ２的栅源电压相等时，则：β１／β２与Ａ１／

流提高，电阻Ｒ１两端的电压线性上升，而流过Ｒ１的电

图１　ＰＴＡＴ电压结构

Ｑ１、Ｑ２为两个二极管连接形式匹配的ＢＪＴ，在设计时，使Ｑ１与Ｑ２的结面积成８倍的关系，使得在设计时，实Ｑ１，Ｑ２都工作在饱和区，则：

现中心对称，减小不匹配带来的误差［２－３］。图１中，

ＶＥＢ１＝ＶＴｌｎ（ＶＥＢ２＝ＶＴｌｎ（

ＩＳ１ＩＳ２Ｉ２Ｉ１

））

（１）（２）

流与Ｑ２两端的电压ＶＢＥ２呈对数关系，这样，Ｒ１两端的电压比Ｑ２两端的电压ＶＢＥ２增速更快，因此，反向输入电漏电流会减少［６－７］。而运算放大器工作在深度负反馈模式下时，该点工作电压不变并且状态保持稳定。１．２　温度传感器核心电路

图２为温度传感器结构中折叠共源共栅运算放大器Ａ１的结构图，分为偏置电路和折叠共源共栅运放电路两部分；图３为温度传感模块整体结构，包括启动电路、核心电路以及温度输出部分。分析可知，Ｒ２支路电流ＩＲ２是

一个与绝对温度成正比的量，而ＩＲ３＝ＩＲ２＝ＩＲ１，因此ＩＰ１与绝对温度成正比［８－９］。Ｐ３与Ｐ４构成电流镜结构，则Ｐ４管的漏极电流ＩＰ４即为所求的ＰＴＡＴ电流，流经电阻Ｒ５后产生的压降即为与绝对温度成正比的电压ＶＴ。压会减小，那么对于Ｐ１管而言，栅极输入电压会上升，

式中：ＶＥＢ１、ＶＥＢ２为晶体管Ｑ１、Ｑ２正偏时的Ｅ－Ｂ结压降；ＶＴ＝ＫＴ／ｑ；ＩＳ１，ＩＳ２分别为Ｑ１、Ｑ２的反向饱和电流。如果忽略其他因素的影响，把ＭＯＳ管Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３

的宽长比设为相同的比值时，则ＩＳ１＝８ＩＳ２。

将流过Ｑ１、Ｑ２、Ｒ４的电流分别记为Ｉ１，Ｉ２，Ｉ３，当差

图２　运算放大Ａ１结构

偏置电路提供稳定的偏置电压，再通过３个电流镜结构分别得到不同的电压，为运放提供偏置。为了使偏置电路中的两个静态工作点偏离零工作点，引入

了启动电路。启动电路结构如图３所示，当ＶＣＣ从零Ｍ１４与Ｍ１５产生漏电流，Ｍ１２与Ｍ１３的栅压降低，随着启

上升到正常工作电压时，Ｐ２管使Ａ１内的Ｍ１２导通，

　第１１期结束［１０－１１］。

陈力颖等：新型ＣＭＯＳ温度传感器的设计

２　仿真结果分析

　１９　

动电路内Ｎ１管的栅压升高，Ｐ２关断，启动电路工作

温度传感器整体电路仿真时采用１．８Ｖ直流电源供电，仿真得到的运算放大器Ａ１的增益曲线如图５所示，其相位裕度为６５°，增益为８２．９７ｄＢ，满足设计要求。输出电压ＶＴ随温度变化曲线如图６所示，可以看出，在－４０～１２５℃范围内，温度传感器的输出电压与绝对温度成正比关系。图７为输出电压ＶＴ的分辨图３　ＣＭＯＳ温度传感器核心结构

这样，就能得到所需的与温度成正比的输出电压ＶＴ温度检测；但是，，如果要使此温度传感器同样能适用于人体图３所示的温度传感器核心结构的输出电压ＶＴ并不能作为最终结果，因为人的体温变化范围相对较小，所以需要进一步提高输出精度。图４所示为体温传感模块的最终结构图，该结构的两个输入极分别为图３与温度成正比的输出电压ＶＴ和基准输出电压ＶＲｒｅｆ，经两个结构相同的Ｂｕｆｆｅｒ输入，电阻Ｒ１、Ｒ２、

３、Ｒ４与放大器Ａ２组成减法运算电路。Ｂｕｆｆｅｒ的作用是降低系统的失调电压，使放大器Ａ２的输入端结构相同，并提高输出功率［１２］负反馈模式下，Ｖ。运算放大器：

Ａ２工作在ｏｕｔ满足以下关系ＶＲＲＲｏｕｔ＝

Ｒ３１

［Ｖｒｅｆ（

Ｒ４

２＋Ｒ４）－ＶＴ］＋Ｖｒｅｆ（

Ｒ２

式中：Ｖ２＋Ｒ４）

（５）

的基准源Ｔ为图３所示的输出电压；Ｖ。

ｒｅｆ为一个约为１．２５Ｖ

可通过调节电阻使３７．５℃下体温传感模块输出电压的值约为Ｖ８０６确值，Ｖ与８０６ｍＶ的差值放大Ｒ＋ＲＲｍＶ，

ｒｅｆ［４／（Ｒ２４）］为８０６ｍＶ的准Ｔ相加，得到在３５～４５℃范围内的精确输出电压３／Ｒ１倍后与８０６ｍＶ。

图４　体温传感模块结构图

率随温度变化的曲线，由图７可知输出电压ＶＴ分辨率大约为２．６ｍＶ／℃，误差约为±０．２％。

图５　运算放大器Ａ１的增益曲线

图６　温度传感器输出电压随温度变化曲线

图７　输出电压分辨率随温度变化曲线

图８为温度传感器的ＰＳＲＲ仿真曲线，在低频阶段，

ＰＳＲＲ端造成的影响约为－８２。ｄＢ，图因此可以忽略电源的干扰信号对输出９为２７℃下Ｖ１０ｏｕｔ的瞬态仿真曲线，图

波干扰时为电源信号加入振幅为，输出电压Ｖ２００ｍＶ，频率为。１０通过对比可以ｋＨｚ的正弦得出，温度传感器的输出电压基本不受影响ｏｕｔ的瞬态仿真曲线。

另外，在－４０～１２℃的温度条件下，对基准源Ｖ进行ＤＣ仿真，输出电压随温度变化曲线如图１１所

ｒｅｆ

　　２０ＩｎｓｔｒｕｍｅｎｔＴｅｃｈｎｉｑｕｅａｎｄＳｅｎｓｏｒ

Ｎｏｖ．２０１９　

图８　温度传感器的ＰＳＲＲ仿真曲线

图９　２７℃时温度传感器的瞬态仿真曲线

图１０　电源加入振幅２００ｍＶ，频率１０ｋＨｚ的干扰信号时的瞬态仿真曲线

示，测得Ｖｒｅｆ的输出电压的温度系数为６．２３ｐｐｍ／℃。可以看出，在－４０～１２５℃的温度条件下，基准源Ｖ输出电压变化率极低，说明电路能在较大的温度范围ｒｅｆ的内保持稳定输出－。图１２为Ｖｒｅｆ的ＰＳＲＲ仿真曲线，ＰＳＲＲ为８１ｄＢ，说明对电源的抑制作用较好。

图１１　Ｖｒｅｆ输出电压随温度变化曲线

３　测试结果与讨论

为较少辐射效应对系统电路造成影响，方便温度传感器的的检测，电路系统和版图主要为保持特定频

图１２　Ｖｒｅｆ的ＰＳＲＲ曲线图

段上的良好特性，避免元件之间的不匹配而造成温度梯度。此传感器芯片采用ＵＭＣ０．１８μｍ１Ｐ６Ｍ工艺制作，图１３为芯片显微照片，版图面积为；温度传感器流片及ｂｏｎｄｉｎｇ之后的测试电路板如图１４所示。

图１３　芯片显微照片

图１４　温度传感器测试电路板及芯片ｂｏｎｄｉｎｇ图

该温度传感器的输出电压受电源电压影响较大，因此测试中采用１．８Ｖ高精度稳压电源，以此减小电源电压的影响。测试过程在温箱内进行，将被测电路

板置于温箱内，适当地引出测试线，温度从－２０℃到１２０次数据℃开始稳定上升，其他温度区间每，在３０１０～５０℃测量一个数据℃之间每５℃测量一。测试时，样片经温度从低到高，再从高到低测量其温度－电

　第１１期陈力颖等：新型ＣＭＯＳ温度传感器的设计

　２１　

压特性，以观察样片的重复性和耐温特性。最后对测量结果进行拟合分析，将所测数据整理成比较直观的温度

－电压曲线，图１５为样片的正向温度测试结果拟合曲线，图１６为样片的逆向温度测试结果拟合曲线。由图１５、图１６可知，同一块芯片的正向温度测试结果与逆向温度测试结果并不完全重合，存在较小的偏差，但偏差在可接受范围内；另外，温度与输出电压近似成线性关系，由此可知，芯片的温度特性与可逆性较好。

化在２．６４３～２．６５４ｍＶ／℃之间，抗干扰能力较强，分辨率较高，同时，占用芯片面积小，功耗较低，且覆盖温度范围广，适合其他系统开发所需的温度检测以及ＣＭＯＳ工艺下的其他集成应用。

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图１６　样片逆向温度测试拟合曲线

４　结论

本文所设计的ＣＭＯＳ温度传感器，可以同时输出带隙基准电压以及大范围的与温度相关的电压。在此基础上加入后期处理电路后，将体温范围内的输出电压进一步放大，可用于体温的检测。该温度传感器的主要性能指标为：１．８Ｖ的工作电压，７２μＷ的系统总功耗，Ｖｏｕｔ的温漂为６．２３ｐｐｍ／℃，ＰＳＲＲ为－８２ｄＢ，输出的线性度以及灵敏度都较高，有效温度范围内变（上接第１６页）

［１１］　李勃，毛陆虹，张世林，等．集成于无源ＵＨＦＲＦＩＤ标签

［１２］　林荣，蔡敏，黄伟朝，等．新型低功耗ＣＭＯＳ片上温度传感器

设计［Ｊ］．传感技术学报，２０１１（７）：９８１－９８５．作者简介：陈力颖（１９７６—），副教授，硕士生导师，主要研究方

向为数模混合集成电路设计。Ｅ⁃ｍａｉｌ：１３６２２１６７６７３＠１６３．ｃｏｍ

的宽温测范围ＣＭＯＳ温度传感器［Ｊ］．传感技术学报，２０１４（５）：５８１－５８６．

通讯作者：谭康（１９９２—），硕士研究生，主要从事模拟集成电路

设计方向的研究。Ｅ⁃ｍａｉｌ：１３９２０５７８７２７＠１６３．ｃｏｍ

［１３］　ＬＩＮ，ＣＨＥＮＸＤ，ＣＨＥＮＸＰ，ｅｔａｌ．Ｆａｓｔ⁃ｒｅｓｐｏｎｓｅＭｏＳ２⁃ｂａｓｅｄ

ｈｕｍｉｄｉｔｙｓｅｎｓｏｒｂｒａｃｅｄｂｙＳｉＯ２ｍｉｃｒｏｓｐｈｅｒｅｌａｙｅｒｓ［Ｊ］．ＩＥＥＥＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖｉｃｅＬｅｔｔｅｒｓ，２０１８，３９（１）：１１５－１１８．

［１４］　ＶＡＳＩＬＥＩＯＳＴ，ＫＯＮＳＴＡＮＴＩＮＯＳＤ，ＫＯＮＳＴＡＮＴＩＮＯＳＤ，ｅｔ

ａｌ．ＦａｃｉｌｅＭｏＳ２ｇｒｏｗｔｈｏｎｒｅｄｕｃｅｄｇｒａｐｈｅｎｅ⁃ｏｘｉｄｅｖｉａｌｉｑｕｉｄｐｈａｓｅｍｅｔｈｏｄ［Ｊ］．ＦｒｏｎｔｉｅｒｓｉｎＭａｔｅｒｉａｌｓ，２０１８，５（１）：２９－３８．

作者简介：王西建（１９７９—），副教授，硕士，主要研究方向为检测

仪器设计与控制。Ｅ⁃ｍａｉｌ：ｈａｐｐｙｗａｎｇｘｉｊｉａｎ＠１２６．ｃｏｍ胡明江（１９７４—），教授，博士，主要研究方向为大气污染物检测与控制。Ｅ⁃ｍａｉｌ：ｈｕ＿ｍｉｎｇｊｉａｎｇ＠１６３．ｃｏｍ

［１０］　ＭＩＮＷＪ，ＳＡＮＧＭＫ，ＫＩ⁃ＨＯＮ，ｅｔａｌ．Ｈｉｇｈｌｙｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ

ａｎｄｆｌｅｘｉｂｌｅＮＯ２ｇａｓｓｅｎｓｏｒｆｉｌｍｂａｓｅｄｏｎＭｏＳ２／ＲＧＯｃｏｍ⁃ｐｏｓｉｔｅｓｕｓｉｎｇｓｏｆｔｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｉｃｐａｔｔｅｒｎｉｎｇ［Ｊ］．ＡｐｐｌｉｅｄＳｕｒｆａｃｅＳｃｉｅｎｃｅ，２０１８，４５６（６）：７－１２．

［１１］　ＨＵＪ，ＺＯＵＣ，ＳＵＹＪ，ｅｔａｌ．Ｌｉｇｈｔ⁃ａｓｓｉｓｔｅｄｒｅｃｏｖｅｒｙｆｏｒａ

ｈｉｇｈｌｙ⁃ｓｅｎｓｉｔｉｖｅＮＯ２ｓｅｎｓｏｒｂａｓｅｄｏｎＲＧＯ－ＣｅＯ２ｈｙｂｒｉｄｓ［Ｊ］．ＳｅｎｓｏｒｓａｎｄＡｃｔｕａｔｏｒｓＢ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ，２０１８，２７０（５）：１１９－１２９．［１２］　ＲＡＨＵＬＫ，ＮＥＥＲＡＪＧ，ＲＡＭＥＳＨＲ，ｅｔａｌ．Ｈｉｇｈ⁃ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ

ｐｈｏｔｏｄｅｔｅｃｔｏｒｂａｓｅｄｏｎｈｙｂｒｉｄｏｆＭｏＳ２ａｎｄｒｅｄｕｃｅｄｇｒａｐｈｅｎｅｏｘｉｄｅ［Ｊ］．Ｎａｎｏｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，２０１８，２９（７）：４０４－４１２．